Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz Team (TMD3L4G1600HC11-S01 / TMD3L4G1600C11-S01)

код: U0163339
DDR3, 4 ГБ, У наборі - 1, 1600 МГц, CL11, 1.35 В, з радіатором охолодження, для Apple
Знятий з виробництва
Топ продажів
512 392 грн
код: U0080698 сьогодні
+ 10 грн бонус
Топ продажів
2535 2181 грн
код: U0897817 сьогодні
+ 59 грн бонус

Характеристики Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz Team (TMD3L4G1600HC11-S01 / TMD3L4G1600C11-S01)

Тип пам'ятіDDR3
Об'єм пам'яті4 ГБ
Кількість модулів у наборі1
Стандарти пам'ятіPC3-12800
Частота пам'яті1600 МГц
ТаймінгиCL11
Напруга живлення1.35 В
Охолодженняз радіатором охолодження
Додаткові характеристикидля Apple
ПриміткаПоставка товару можлива в ОЕМ-версії. Тобто, товар може поставлятися без супроводжуючих матеріалів і додаткових компонентів, в упаковці без оформлення, що гарантує лише їх безпечне транспортування.
Читати повністю

Опис Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz Team (TMD3L4G1600HC11-S01 / TMD3L4G1600C11-S01)

Оперативна пам'ять - одна з найважливіших деталей Вашого комп'ютера. Пам'ять допоможе прискорити обмін даними на комп'ютері. Оперативна пам'ять незамінна для виконання різних завдань, таких як: робота з об'ємними текстами, таблицями, графіками; архівування, шифрування, робота з базами даних; комп'ютерні ігри, а також багато інших завдань. Пам'ять забезпечить Вам швидку результативну роботу за комп'ютером і комфортний відпочинок!

Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR3 - це третє покоління синхронної динамічної пам'яті з довільним доступом і подвоєною швидкістю передачі даних. Переваги в порівнянні з DDR2: більш висока пропускна здатність, - понижене тепловиділення (результат зменшення напруги живлення), менше енергоспоживання і поліпшене енергозбереження.

Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR3 Team створений на базі нового покоління технології DDR. Як і всі модулі пам'яті, DDR3 спроектовані і створені таким чином, щоб повністю відповідати всім вимогам ентузіастів в області розгону ПК. Модулі пам'яті DDR3 забезпечують більш високу швидкість, більш низький час затримки, більш високу пропускну здатність і зменшене енергоспоживання в порівнянні з модулями пам'яті DDR2.

Залишити відгук

Оцінити: