Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 4GB 1600 MHz Samsung (M378B5173BH0-CK0 /K4B2G0846D /K4B4G0846D)

код: U0054026
DDR3, 4 ГБ, У наборі - 1, Частота пам'яті - 1600 МГц, Таймінги - CL11, Напруга живлення - 1.5 В
Знятий з виробництва
1276 грн
код: U0893021 сьогодні
+ 18 грн бонус
818 грн
код: U0886781 сьогодні
+ 23 грн бонус
1829 грн
код: U0886782 сьогодні
+ 35 грн бонус

Характеристики Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 4GB 1600 MHz Samsung (M378B5173BH0-CK0 /K4B2G0846D /K4B4G0846D)

Тип пам'ятіDDR3
Об'єм пам'яті4 ГБ
Кількість модулів у наборі1
Частота пам'яті1600 МГц
ТаймінгиCL11
Напруга живлення1.5 В
Охолодженнянемає
ПриміткаПоставка товару можлива в ОЕМ-версії. Тобто, товар може поставлятися без супроводжуючих матеріалів і додаткових компонентів, в упаковці без оформлення, що гарантує лише їх безпечне транспортування.
ВиробникSamsung
Примітка Виробник може змінювати властивості, характеристики, зовнішній вигляд і комплектацію товарів без попередження

Опис Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 4GB 1600 MHz Samsung (M378B5173BH0-CK0 /K4B2G0846D /K4B4G0846D)

Пам'ять DDR3 4GB 1600 MHz SAMSUNG (M378B5173BH0-CK0) допоможе прискорити обмін даними на комп'ютері. Оперативна пам'ять незамінна для виконання різних завдань, таких як: робота з об'ємними текстами, таблицями, графіками; архівування, шифрування, робота з базами даних; комп'ютерні ігри, а також інші завдання.

DDR3 SDRAM - це третє покоління синхронної динамічної пам'яті з довільним доступом і подвоєною швидкістю передачі даних.
Переваги в порівнянні з DDR2:
- більш висока пропускна здатність (до 19200 МБ/ с),
- знижене тепловиділення (результат зменшення напруги живлення),
- поліпшене енергозбереження.

Модулі пам'яті DDR3 4GB 1600 MHz SAMSUNG (M378B5173BH0-CK0) створені на базі новітнього покоління технології DDR. Як і всі модулі пам'яті компанії SAMSUNG, модулі пам'яті DDR3 спроектовані і створені таким чином, щоб повністю відповідати всім вимогам ентузіастів в області розгону ПК. Модулі пам'яті DDR3 забезпечують більш високу швидкість, більш низький час затримки, більш високу пропускну здатність і зменшене енергоспоживання в порівнянні з модулями пам'яті DDR2.

Залишити відгук

Оцінити: