Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 4GB 1333 MHz Samsung (K4B4G0846C)
код: L012784
DDR3, 4 ГБ, У наборі - 1, Частота пам'яті - 1333 МГц, Таймінги - CL9, Напруга живлення - 1.5 В
Знятий з виробництва
код: U0559405 сьогодні
Топ продажів
код: U0610648 сьогодні
Топ продажів
код: U0971971 сьогодні
Вибір ITBOX
код: U0596033 сьогодні
Вибір ITBOX
Характеристики Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 4GB 1333 MHz Samsung (K4B4G0846C)
| Тип пам'яті | DDR3 |
| Об'єм пам'яті | 4 ГБ |
| Кількість модулів у наборі | 1 |
| Частота пам'яті | 1333 МГц |
| Таймінги | CL9 |
| Напруга живлення | 1.5 В |
| Охолодження | немає |
| Примітка | Поставка товару можлива в ОЕМ-версії. Тобто, товар може поставлятися без супроводжуючих матеріалів і додаткових компонентів, в упаковці без оформлення, що гарантує лише їх безпечне транспортування. |
| Виробник | Samsung |
| Примітка | Виробник може змінювати властивості, характеристики, зовнішній вигляд і комплектацію товарів без попередження |
Опис Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 4GB 1333 MHz Samsung (K4B4G0846C)
DDR3 SDRAM - це третє покоління синхронної динамічної пам'яті з довільним доступом та подвоєною швидкістю передачі даних.
Переваги в порівнянні з DDR2:
- вища пропускна спроможність (до 19200 МБ/с);
- понижене тепловиділення (результат зменшення напруги живлення);
- менше енергоспоживання та поліпшене енергозбереження.
Модуль пам'яті DDR3 4096Mb SAMSUNG (M378B5273BH1-CH9) має параметр CL9, що означає величину латентності, рівну 9. CAS-латентність - це перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину. Від цього параметра найбільше залежить продуктивність пам'яті, оскільки тільки він затримує доступ до даних, чим менше затримка CL, тим раніше дані поступають в пам'ять.
Пам'ять працює з тактовою частотою 1333 MHz, і з піковою швидкістю передачі даних 10600 МБ/с.
Переваги в порівнянні з DDR2:
- вища пропускна спроможність (до 19200 МБ/с);
- понижене тепловиділення (результат зменшення напруги живлення);
- менше енергоспоживання та поліпшене енергозбереження.
Модуль пам'яті DDR3 4096Mb SAMSUNG (M378B5273BH1-CH9) має параметр CL9, що означає величину латентності, рівну 9. CAS-латентність - це перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину. Від цього параметра найбільше залежить продуктивність пам'яті, оскільки тільки він затримує доступ до даних, чим менше затримка CL, тим раніше дані поступають в пам'ять.
Пам'ять працює з тактовою частотою 1333 MHz, і з піковою швидкістю передачі даних 10600 МБ/с.
Знятий з виробництва
DDR3, 4 ГБ, У наборі - 1, Частота пам'яті - 1333 МГц, Таймінги - CL9, Напруга живлення - 1.5 В
Знятий з виробництва
код: U0559405 сьогодні
Топ продажів
код: U0610648 сьогодні
Топ продажів
код: U0971971 сьогодні
Вибір ITBOX
код: U0596033 сьогодні
Вибір ITBOX
Характеристики Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 4GB 1333 MHz Samsung (K4B4G0846C)
| Тип пам'яті | DDR3 |
| Об'єм пам'яті | 4 ГБ |
| Кількість модулів у наборі | 1 |
| Частота пам'яті | 1333 МГц |
| Таймінги | CL9 |
| Напруга живлення | 1.5 В |
| Охолодження | немає |
| Примітка | Поставка товару можлива в ОЕМ-версії. Тобто, товар може поставлятися без супроводжуючих матеріалів і додаткових компонентів, в упаковці без оформлення, що гарантує лише їх безпечне транспортування. |
| Виробник | Samsung |
| Примітка | Виробник може змінювати властивості, характеристики, зовнішній вигляд і комплектацію товарів без попередження |
Опис Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 4GB 1333 MHz Samsung (K4B4G0846C)
DDR3 SDRAM - це третє покоління синхронної динамічної пам'яті з довільним доступом та подвоєною швидкістю передачі даних.
Переваги в порівнянні з DDR2:
- вища пропускна спроможність (до 19200 МБ/с);
- понижене тепловиділення (результат зменшення напруги живлення);
- менше енергоспоживання та поліпшене енергозбереження.
Модуль пам'яті DDR3 4096Mb SAMSUNG (M378B5273BH1-CH9) має параметр CL9, що означає величину латентності, рівну 9. CAS-латентність - це перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину. Від цього параметра найбільше залежить продуктивність пам'яті, оскільки тільки він затримує доступ до даних, чим менше затримка CL, тим раніше дані поступають в пам'ять.
Пам'ять працює з тактовою частотою 1333 MHz, і з піковою швидкістю передачі даних 10600 МБ/с.
Переваги в порівнянні з DDR2:
- вища пропускна спроможність (до 19200 МБ/с);
- понижене тепловиділення (результат зменшення напруги живлення);
- менше енергоспоживання та поліпшене енергозбереження.
Модуль пам'яті DDR3 4096Mb SAMSUNG (M378B5273BH1-CH9) має параметр CL9, що означає величину латентності, рівну 9. CAS-латентність - це перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину. Від цього параметра найбільше залежить продуктивність пам'яті, оскільки тільки він затримує доступ до даних, чим менше затримка CL, тим раніше дані поступають в пам'ять.
Пам'ять працює з тактовою частотою 1333 MHz, і з піковою швидкістю передачі даних 10600 МБ/с.
Робіть покупки на сайті, накопичуйте бали ITbox і отримуйте за них знижки на наступні покупки!
1 бал ITbox = знижка в 1 грн
Бали ITbox можна використати як знижку до 30% від вартості товару
Дізнатися детальніше
Ціна без ПДВ
Даний товар звільнено від оподаткування.
Доступний для придбання юридичним особам з наданням повного пакета документів.
Можливе заключення договору поставки.
Мої організації
Відгуки та питання покупців Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 4GB 1333 MHz Samsung (K4B4G0846C)