Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR4 4GB 2133 MHz Samsung (M471A5143EB0-CPBD0)
Вместе дешевле Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR4 4GB 2133 MHz Samsung (M471A5143EB0-CPBD0)
Характеристики Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR4 4GB 2133 MHz Samsung (M471A5143EB0-CPBD0)
Тип памяти | DDR4 |
Объем памяти | 4 ГБ |
Количество модулей в наборе | 1 |
Стандарты памяти | PC4-17000 |
Частота памяти | 2133 МГц |
Тайминги | CL15 |
Напряжение питания | 1.2 В |
Форм-фактор памяти | 260-pin SO-DIMM |
Охлаждение | нет |
Примечание | Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку. |
Описание Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR4 4GB 2133 MHz Samsung (M471A5143EB0-CPBD0)
У каждого ноутбука и нетбука есть скрытые возможности. Благодаря модулям памяти для ноутбука SoDIMM DDR4 4GB 2133 MHz Samsung (M471A5143EB0-CPBD0) Вы узнаете, на что действительно способен ваш компьютер. При использовании DDR SDRAM достигается удвоенная скорость работы, нежели в SDRAM, за счёт считывания команд и данных не только по фронту, но и по спаду тактового сигнала. За счёт этого удваивается скорость передачи данных без увеличения частоты тактового сигнала шины памяти.
Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR4 4GB 2133 MHz Samsung (M471A5143EB0-CPBD0) - работает с тактовой частотой 2133MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 17000 МБ/с. SODIMM (Small Outline DIMM) - это специальные модули для портативных компьютеров, отличающиеся уменьшенным размером. Этот тип модулей памяти используется также и в коммуникационном оборудовании, где важны их габариты, во все современные ноутбуки устанавливаются модули формата SODIMM.
Данные модули памяти DDR3 созданы на базе новейшего поколения технологии DDR. Как и все модули памяти компании, модули памяти DDR3 спроектированы и созданы таким образом, чтобы полностью соответствовать всем требованиям энтузиастов в области разгона ПК. Модули памяти DDR3 обеспечивают более высокую скорость, более низкое время задержки, более высокую пропускную способность и уменьшенное энергопотребление по сравнению с модулями памяти DDR2.
Узнать подробнее