Модуль памяти для компьютера DDR SDRAM 512MB 400 MHz Samsung (K4H560838E-TCCC / K4H560838F-TCCC)

DDR SDRAM - это первое поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.

При использовании DDR SDRAM достигается удвоенная скорость работы, в сравнении с SDRAM, за счёт считывания команд и данных не только по фронту, но и по спаду тактового сигнала. За счёт этого удваивается скорость передачи данных без увеличения частоты тактового сигнала шины памяти.

Модуль памяти DDR SDRAM 512MB 400 MHz SAMSUNG (K4H560838E-TCCC / K4H560838F-TCCC) имеет параметр CL3, что обозначает величину латентности, равную 3. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.