Модуль памяти для компьютера DDR3 4GB 1333 MHz Micron (CT51264BA1339)
код: U0001288
DDR3, 4 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 1333 МГц, Тайминги - CL9, Напряжение питания - 1.5 В
Снят с производства
код: U0457518 сегодня
код: U0695568 сегодня
код: U0494542 сегодня
Вместе дешевле Модуль памяти для компьютера DDR3 4GB 1333 MHz Micron (CT51264BA1339)
Характеристики Модуль памяти для компьютера DDR3 4GB 1333 MHz Micron (CT51264BA1339)
| Тип памяти | DDR3 |
| Объем памяти | 4 ГБ |
| Количество модулей в наборе | 1 |
| Частота памяти | 1333 МГц |
| Тайминги | CL9 |
| Напряжение питания | 1.5 В |
| Охлаждение | нет |
| Примечание | Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку. |
| Производитель | Micron |
| Примечание | Производитель может менять свойства, характеристики, внешний вид и комплектацию товаров без предварительного уведомления |
Описание Модуль памяти для компьютера DDR3 4GB 1333 MHz Micron (CT51264BA1339)
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с);
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания);
- меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.
Модуль памяти DDR3 4096Mb MICRON (RM51264BA1339) имеет параметр CL9, что обозначает величину латентности, равную 9. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах , обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
DDR3 4096Mb MICRON (RM51264BA1339) - это один модуль памяти на 4Гб. Память работает с тактовой частотой 1333MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 10600МБ/с.
Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с);
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания);
- меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.
Модуль памяти DDR3 4096Mb MICRON (RM51264BA1339) имеет параметр CL9, что обозначает величину латентности, равную 9. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах , обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
DDR3 4096Mb MICRON (RM51264BA1339) - это один модуль памяти на 4Гб. Память работает с тактовой частотой 1333MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 10600МБ/с.
Снят с производства
Делайте покупки на сайте, накапливайте бонусы и рассчитывайтесь ими при следующих заказах!
1 бонус = 1 грн
Бонусами можно оплатить не более 20% заказа
Узнать подробнее