Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR4 4GB 2133 MHz Silicon Power (SP004GBSFU213N02)
Разом дешевше Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR4 4GB 2133 MHz Silicon Power (SP004GBSFU213N02)
Характеристики Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR4 4GB 2133 MHz Silicon Power (SP004GBSFU213N02)
Тип пам'яті | DDR4 |
Об'єм пам'яті | 4 ГБ |
Кількість модулів у наборі | 1 |
Стандарти пам'яті | PC4-17000 |
Частота пам'яті | 2133 МГц |
Таймінги | CL15 |
Напруга живлення | 1.2 В |
Охолодження | немає |
Примітка | Поставка товару можлива в ОЕМ-версії. Тобто, товар може поставлятися без супроводжуючих матеріалів і додаткових компонентів, в упаковці без оформлення, що гарантує лише їх безпечне транспортування. |
Виробник | Silicon Power |
Опис Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR4 4GB 2133 MHz Silicon Power (SP004GBSFU213N02)
У кожного ноутбука і нетбука є приховані можливості. Завдяки модулям пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR4 4GB 2133 MHz Silicon Power (SP004GBSFU213N02)Ви дізнаєтеся, на що дійсно здатний ваш комп'ютер. При використанні DDR SDRAM досягається подвоєна швидкість роботи, ніж в SDRAM, за рахунок зчитування команд і даних не лише по фронту, але і по спаду тактового сигналу. За рахунок цього подвоюється швидкість передачі даних без збільшення частоти тактового сигналу шини пам'яті.
Модуль пам'яті для ноутбука SoDIMM DDR4 4GB 2133 MHz Silicon Power (SP004GBSFU213N02) - працює з тактовою частотою 2133MHz, і з піковою швидкістю передачі даних 17000 МБ/с. SODIMM (Small Outline DIMM) - це спеціальні модулі для портативних комп'ютерів, що відрізняються зменшеним розміром. Цей тип модулів пам'яті використовується також і в комунікаційному обладнанні, де важливі їх габарити, в усі сучасні ноутбуки встановлюються модулі формату SODIMM.
Дані модулі пам'яті DDR3 створені на базі новітнього покоління технології DDR. Як і всі модулі пам'яті компанії, модулі пам'яті DDR3 спроектовані і створені таким чином, щоб повністю відповідати всім вимогам ентузіастів в області розгону ПК. Модулі пам'яті DDR3 забезпечують більш високу швидкість, більш низький час затримки, більш високу пропускну здатність і зменшене енергоспоживання в порівнянні з модулями пам'яті DDR2.
Дізнатися детальніше