Оперативная память

DDR2, 4 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 800 МГц, Тайминги - CL5, Напряжение питания - 1.8 В -1.9 В

DDR2, 4 ГБ, В наборе - 2, 667 МГц, CL5, 1.8 В, 200-pin SO-DIMM, non-ECC, с радиатором охлаждения

DDR2, 4 ГБ, В наборе - 2, 800 МГц, CL5, 1.8 В, 200-pin SO-DIMM, non-ECC, нет, для Apple

DDR2, 4 ГБ, В наборе - 2, 800 МГц, CL5, 1.8 В, non-ECC, нет

DDR2, 4 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 800 МГц, Тайминги - CL4

DDR2, 4 ГБ, В наборе - 1, 667 МГц, CL5, 1.8 В, non-ECC, нет

DDR2, 4 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 800 МГц, Тайминги - CL4, Напряжение питания - 1.8 В

DDR2, 4 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 800 МГц, Тайминги - CL5, Напряжение питания - 1.8 В

DDR2, 4 ГБ, В наборе - 1, 800 МГц, CL6, 1.8 В, нет

DDR2, 4 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 1066 МГц, Тайминги - CL5, Напряжение питания - 2.0 В

DDR2, 4 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 1066 МГц, Тайминги - CL5, Напряжение питания - 2.0 В - 2.1 В

DDR2, 4 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 1066 МГц, Тайминги - CL5, Напряжение питания - 2.0 В - 2.1 В

DDR2, 4 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 1066 МГц, Тайминги - CL5, Напряжение питания - 1.8 В

DDR2, 4 ГБ, В наборе - 2, Тайминги - CL5, Напряжение питания - 1.8 В -1.9 В