Модуль памяти для компьютера DDR SDRAM 1GB 333 MHz Silicon Power (SP001GBLDU333O02)
код: D0004509
DDR, 1 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 333 МГц, Тайминги - CL3
Снят с производства
код: U0142727 сегодня
код: U0289813 сегодня
код: U0103396 сегодня
Вместе дешевле Модуль памяти для компьютера DDR SDRAM 1GB 333 MHz Silicon Power (SP001GBLDU333O02)
Характеристики Модуль памяти для компьютера DDR SDRAM 1GB 333 MHz Silicon Power (SP001GBLDU333O02)
| Тип памяти | DDR |
| Объем памяти | 1 ГБ |
| Количество модулей в наборе | 1 |
| Частота памяти | 333 МГц |
| Тайминги | CL3 |
| Охлаждение | нет |
| Примечание | Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку. |
| Производитель | Silicon Power |
| Примечание | Производитель может менять свойства, характеристики, внешний вид и комплектацию товаров без предварительного уведомления |
Описание Модуль памяти для компьютера DDR SDRAM 1GB 333 MHz Silicon Power (SP001GBLDU333O02)
DDR SDRAM - это первое поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.
При использовании DDR SDRAM достигается удвоенная скорость работы, в сравнении с SDRAM, за счёт считывания команд и данных не только по фронту, но и по спаду тактового сигнала. За счёт этого удваивается скорость передачи данных без увеличения частоты тактового сигнала шины памяти.
Модуль памяти DDR SDRAM 1024Mb Silicon Power (SP001GBLDU333O02) имеет параметр CL3, что обозначает величину латентности, равную 3. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
Модуль памяти DDR SDRAM 1024Mb Silicon Power (SP001GBLDU333O02) - работает с тактовой частотой 333 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 2700 МБ/с.
При использовании DDR SDRAM достигается удвоенная скорость работы, в сравнении с SDRAM, за счёт считывания команд и данных не только по фронту, но и по спаду тактового сигнала. За счёт этого удваивается скорость передачи данных без увеличения частоты тактового сигнала шины памяти.
Модуль памяти DDR SDRAM 1024Mb Silicon Power (SP001GBLDU333O02) имеет параметр CL3, что обозначает величину латентности, равную 3. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
Модуль памяти DDR SDRAM 1024Mb Silicon Power (SP001GBLDU333O02) - работает с тактовой частотой 333 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 2700 МБ/с.
Снят с производства
Делайте покупки на сайте, накапливайте бонусы и рассчитывайтесь ими при следующих заказах!
1 бонус = 1 грн
Бонусами можно оплатить не более 20% заказа
Узнать подробнее