Оперативная память | Напряжение питания : 2.6 В

DDR, 1 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 400 МГц, Напряжение питания - 2.6 В

DDR, 1 ГБ, В наборе - 1, 400 МГц, CL8, 2.6 В, нет

DDR, 1 ГБ, В наборе - 1, 400 МГц, CL3, 2.6 В, 200-pin SO-DIMM, non-ECC, нет

DDR, 512 ГБ, В наборе - 1, 533 МГц, CL2.5, 2.6 В, нет

400 МГц, CL3, 2.6 В, ECC, Unbuffered, (Kit:1x1024MB), для серверов

400 МГц, CL3, 2.6 В, ECC, Registered, (Kit:1x2048MB), для серверов

DDR, В наборе - 1, Частота памяти - 400 МГц, Напряжение питания - 2.6 В

DDR, В наборе - 1, Частота памяти - 400 МГц, Тайминги - CL3, Напряжение питания - 2.6 В

DDR, 1 ГБ, В наборе - 1, 400 МГц, CL3, 2.6 В, 200-pin SO-DIMM, non-ECC, нет

DDR, 1 ГБ, В наборе - 1, 400 МГц, CL3, 2.6 В, нет

DDR, 512 ГБ, В наборе - 1, 400 МГц, CL3, 2.6 В, 200-pin SO-DIMM, non-ECC, нет

DDR, 512 ГБ, В наборе - 1, 400 МГц, CL3, 2.6 В, нет

DDR, 1 ГБ, В наборе - 1, 400 МГц, CL3, 2.6 В, нет